提供了包括静电放电保护图案的半导体器件及其制造方法。所述半导体器件可包括在基板上的前道工序区，其中，所述前道工序区可包括静电放电保护电路和与所述静电放电保护电路电连接的集成电路。后道工序区可在所述前道工序区上，并且静电放电保护图案可在所述基板的划片区上。所述静电放电保护图案可包括下部图案，所述下部图案沿着所述基板延伸并且具有暴露在所述后道工序区外部的侧表面。通路可电连接到所述下部图案并且垂直于所述基板延伸，并且上部图案可电连接到所述通路。