本发明提供一种存储器的制作方法，在浮动栅形成后，采用图案化的负性光刻胶层为掩模对浮动栅之间的隔离结构进行两次刻蚀，然后在隔离结构和浮动栅上依次形成栅间介质层和控制栅。本发明采用负性光刻胶层为掩模对浮动栅之间的隔离结构进行刻蚀，减少或者避免了光刻胶在第一次刻蚀过程中的剥落或褶皱，进而减少由于光刻胶剥落或褶皱对第二次刻蚀的影响，使隔离结构刻蚀到预定的深度，增加栅间介质层与控制栅对浮动栅的包裹面积，提高了耦合率，提升了器件的性能。进一步的，本发明在对隔离结构进行第二次刻蚀前，对所述图案化的负性光刻胶层进行有氧预处理，使第一次刻蚀后光刻胶层的界面得到修复，进一步减少光刻胶在刻蚀过程中造成的缺陷。