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专利名称改进的缺陷地结构低通滤波器
申请日2018-09-18
申请号/专利号CN201811085973.4
专利权人贵州大学
申请人贵州大学
发明人/设计人黄鹏;李良荣;金海焱;黄永茂
公告日2019-01-15
公告号CN109216838A
法律状态审中
专利类型发明
行业分类集成电路

摘要

本发明公开了一种改进的缺陷地结构低通滤波器。本发明采用了特殊的两阶阶跃阻抗结构单元,该阶跃阻抗单元采用窄矩形连接六边形结构单元的结构模式,可以在不减小荷载Q的情况下缩短阶跃阻抗结构单元的长度,在结构和设计上有很大的自由度,容易实现微波器件的小型化。此外,本发明优化了底部的缺陷地结构,改变可衬底材料的有效介电常数分布,进而影响接地板的电流分布和微带传输线的传输特性。发明的这种缺陷地结构通过提高低通滤波器的高阻抗频率宽度和带外抑制强度,来改善低通滤波器的低通滤波特性。而且,这种缺陷地结构,结构比较简单,便于电磁场理论分析和等效电路建模分析,更适合集成电路实际应用的优点。
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