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专利名称相变散热芯片结构及其制备方法
申请日2018-09-17
申请号/专利号CN201811081424.X
专利权人中芯集成电路(宁波)有限公司
申请人中芯集成电路(宁波)有限公司
发明人/设计人陈达
公告日2019-01-15
公告号CN109216301A
法律状态审中
专利类型发明
行业分类集成电路

摘要

一种相变散热芯片结构及其制备方法,相变散热芯片结构包括:盖板和晶片;盖板的下表面与晶片的背面键合,盖板的下表面设置有空腔,晶片的背面设置有空槽,空腔与空槽连通,空腔或空槽内存有相变材料;相变材料填充满空腔或空槽,吸热变成液态或气态,体积膨胀,体积膨胀的相变材料将对芯片和盖板产生压力,进而影响芯片的可靠性,盖板的空腔提供了体积膨胀后相变材料储存的空间,减小了芯片和盖板之间的应力,提高芯片的可靠性。
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