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专利名称一种改善晶圆键合空洞的固定结构
申请日2018-09-17
申请号/专利号CN201821519102.4
专利权人武汉新芯集成电路制造有限公司
申请人武汉新芯集成电路制造有限公司
发明人/设计人覃秋军;郭万里;张银
公告日2019-04-30
公告号CN208806242U
法律状态有效
专利类型实用新型
行业分类集成电路

摘要

本实用新型提供一种改善晶圆键合空洞的固定结构,适用于载体晶圆与器件晶圆的晶圆键合工艺中,其中,固定结构包括:一基座,基座为圆盘形结构;一吸盘,吸盘设置于基座的上表面,吸盘的外缘设置一环形凸缘,环形凸缘用以承载器件晶圆;环形凸缘以内具有复数个锥体结构。本实用新型的技术方案有益效果在于:通过改造吸盘的结构,减小了器件晶圆的下表面与吸盘的的接触面积,使得颗粒杂质位于每两个锥体结构之间的间隙内,避免引起载体晶圆与器件晶圆之间形成空洞,以降低晶圆键合空洞的缺陷率,进而提高晶圆产品的合格率,并且可以适用于不同的三维集成晶圆键合工艺,以达到降低晶圆键合空洞的缺陷率的要求。
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