本发明提供一种改善关键尺寸均匀性的方法，属于半导体制造技术领域，包括：采用一第一光罩刻蚀隔离层，以去除位于金属格区域和连续区域的隔离层，并保留位于分立区域的隔离层，位于金属格区域的金属布线层构成金属格，位于分立区域的外围金属结构和隔离层构成台阶，第一光罩具有对应金属格区域和连续区域的第一刻蚀窗口；依次进行光刻处理和后续处理得到具有预设的关键尺寸的目标晶圆。本发明的有益效果：改善提高晶圆中心金属格边沿关键尺寸的均匀性，增大蚀刻的控制范围，提高产线的稳定性。