本发明提出一种瞬变电压抑制器器件，包括一个P‑N结二极管和一个可控硅整流器，集成在一个半导体层的横向器件结构中。横向器件结构包括半导体区域的多个条形结构，沿半导体层主表面上的第一方向水平排布，限定了条形结构之间的电流传导区。可控硅整流器和P‑N结二极管的电流通路形成在每个电流传导区中，但是可控硅整流器的电流通路在第二方向上的每个电流传导区中，主要与P‑N结二极管的电流通路隔开，第二方向与半导体层主表面上的第一方向正交。本发明所述的瞬变电压抑制器器件实现了受保护节点处的低电容。瞬变电压抑制器器件适用于保护集成电路的数据引脚，尤其适用于当数据引脚用于高速器件应用时。