本发明涉及一种预估潜在热点的方法，涉及半导体集成电路制造技术，包括：根据晶圆的已知热点确定光强最大值阈值(I_max_f)和光强最小值阈值(I_min_f)；对客户版图经过OPC修正后，原始图形边界被OPC处理划分为多个修正片段，在每个所述修正片段的中点生成垂线；使用工艺窗口光学模型模拟出每个所述修正片段沿垂线方向的光强分布；以及在工艺窗口光学模型的D‑F‑模型和D‑F+模型模拟的光强分布中找出光强最大值(I_max)小于等于所述光强最大值阈值(I_max_f)的图形，在工艺窗口光学模型的D+F‑模型和D+F+模型模拟的光强分布中找出光强最小值(I_min)大于等于所述光强最小值阈值(I_min_f)的图形，以达到成本低、周期短且工艺简单的目的。