本实用新型提供一种集成电路存储器，其位线沿第一方向延伸并掩埋在衬底内，其字线沿第二方向延伸并形成在位线上方的半导体柱中，字线侧壁上方第二掺杂层和字线侧壁下方第一掺杂层可以用作晶体管的源/漏区，由此基于一个半导体柱可形成两个具有垂直沟道的晶体管，相对于平面晶体管，在占用相同衬底表面积前提下，可以通过增大所述半导体柱的高度来增加有效沟道长度，克服短沟道效应，有利于实现更小的特征尺寸；而且，由于位线位于形成的晶体管底部，无需直接从晶体管表面引出，使晶体管外围的隔离更加容易形成，在相同尺寸情况下能减小器件面积，进而在较小面积内制备更多的存储单元，提高存储密度和集成度。