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专利名称SRAM防SSO的输出自调节电路
申请日2018-09-12
申请号/专利号CN201811060347.X
专利权人上海华力集成电路制造有限公司
申请人上海华力集成电路制造有限公司
发明人/设计人何宏瑾;刘雯;胡晓明
公告日2019-02-15
公告号CN109346116A
法律状态审中
专利类型发明
行业分类集成电路

摘要

本发明涉及一种SRAM防SSO的输出自调节电路,涉及集成电路设计领域,包括n个输出数据感应模块,用于检测SRAM输出数据D[n‑1,0]相对于上一时钟状态是否发生翻转;翻转计数模块,接收n个所述输出数据感应模块输出的所述n个数据翻转判定信号D[i]_sensor,并对所述n个数据翻转判定信号D[i]_sensor进行运算,得到相对应的和信号和进位信号;逻辑编码模块,对所述翻转计数模块提供的所述和信号和所述进位信号进行编码,提供不同延时档位的控制信号S[i](0≦i≦z‑1),其中z为大于等于1的整数;以及延时控制模块,通过所述逻辑编码模块提供的所述控制信号S[i](0≦i≦z‑1)控制不同的延时档位,使得同时翻转的数据时序输出,以能自动重新调节同时翻转输出数据的输出时序。
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