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| 专利名称 | 蚀刻气体混合物、图案形成方法和集成电路装置制造方法 |
| 申请日 | 2018-09-11 |
| 申请号/专利号 | CN201811058676.0 |
| 专利权人 | 三星电子株式会社;圆益电子气体材料有限公司 |
| 申请人 | 三星电子株式会社;圆益电子气体材料有限公司 |
| 发明人/设计人 | 金度勋;金兑炯;白钟敏;宋汉德 |
| 公告日 | 2019-05-24 |
| 公告号 | CN109796981A |
| 法律状态 | 审中 |
| 专利类型 | 发明 |
| 行业分类 | 集成电路 |
摘要
提供了一种蚀刻气体混合物、一种使用该蚀刻气体混合物形成图案的方法和一种使用该蚀刻气体混合物制造集成电路装置的方法，该蚀刻气体混合物包括：C1‑C3全氟烷基次氟酸酯；以及C1‑C10有机硫化合物，在该化合物中含有C‑S键。
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