本实用新型提供一种半导体器件，包括：基底，基底包含第一区域与第二区域，第一区域与第二区域交界处具有第一边界，相互分隔的虚拟栅极图形与功能栅极图形，位于第二区域的基底上，且虚拟栅极图形靠近第一区域，虚拟栅极图形的栅极多晶硅层靠近第一区域的一侧具有一第二边界，虚拟栅极图形的栅极金属层和栅极保护层覆盖栅极多晶硅层并延伸至第二边界与第一边界之间，即一部分虚拟栅极图形位于第一边界与第二边界之间，与现有技术中位于第二边界远离第一边界一侧的虚拟栅极图形相比，所述虚拟栅极图形更加靠近第一区域，从而节省了第二区域的面积，增加了集成电路密集度，提高了半导体器件的面积利用率。