本发明公开了一种高厄利电压的双极器件及其制作方法，所述双极器件包括3个金属连线和衬底；衬底上方依次设置N埋层、第一外延层、第二外延层和SiO2层；3个金属连线分别穿过SiO2层上设置的引出孔后，分别连接集电区的引出区、发射区和P型基区；集电区的引出区和P型基区位于第二外延层内部，发射区位于P型基区内部；双极器件两侧边均设置P型隔离区。所述方法主要改进在于包括对衬底进行第一次外延工艺，形成第一外延层；在第一外延层上进行第二次外延工艺，形成第二外延层；通过双外延层的设计，能够有效增大厄利电压，降低厄利效应，提高集成电路的精度；同时，寄生的PMOS管阈值电压增高，电路的金属布线更加方便，工作电压范围扩大。