本发明公开一种动态随机存取存储器和闪存存储器的制作方法及其结构，该闪存存储器包含一基底包含一主动区域和两个电荷存储结构分别位于主动区域的两侧，其中各个电荷存储结构内包含一氧化硅层/氮化硅层/氧化硅层复合材料层，一埋入式栅极埋入于主动区域，其中埋入式栅极仅包含一控制栅极和一栅极介电层，栅极介电层为单一材料，两个源极/漏极掺杂区分别位于埋入式栅极的两侧的主动区域内。