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专利名称集成电路芯片
申请日2018-09-07
申请号/专利号CN201821469613.X
专利权人长鑫存储技术有限公司
申请人长鑫存储技术有限公司
发明人/设计人不公告发明人
公告日2019-07-05
公告号CN209071324U
法律状态有效
专利类型实用新型
行业分类集成电路

摘要

本公开是关于一种集成电路芯片,包括:衬底、多层导电层、介电层、熔断器和闩锁电路;其中,相邻的所述导电层之间设置有介电层,所述衬底和与其相邻的导电层之间设置有介电层,所述介电层上设置有接触孔;熔断器位于第一导电层上,所述第一导电层为多层所述导电层中位于最上层的导电层,其中,靠近所述衬底为底层,远离所述衬底为上层;闩锁电路设置在衬底上,和所述熔断器连接。在集成电路芯片测试时,触发闩锁效应,使得闩锁电路中的电流不断增大,直至烧断熔断器,实现了对熔断器测试时的熔断。并且在测试多个熔断器时,只需顺序触发每个熔断器的闩锁电路即可,提升了测试效率,节约了测试时间。
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