本发明公开一种电容结构及其制作方法，该电容结构包含一基底，其上具有一存储节点接触；一筒状下电极，设于所述存储节点接触上；一支撑结构，水平的支撑所述筒状下电极的一侧壁，其中所述支撑结构具有一上表面，高于所述筒状下电极的上表面，其中所述支撑结构的上表面具有一V型剖面轮廓；一电容介电层，顺形的覆盖所述筒状下电极与所述支撑结构；以及一上电极，覆盖在所述电容介电层上。