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专利名称晶圆级封装方法以及封装结构
申请日2018-09-04
申请号/专利号CN201811026717.8
专利权人中芯集成电路(宁波)有限公司
申请人中芯集成电路(宁波)有限公司
发明人/设计人罗海龙;克里夫·德劳利
公告日2020-03-10
公告号CN110875201A
法律状态审中
专利类型发明
行业分类集成电路

摘要

本发明提供一种晶圆级封装方法和封装结构,所述晶圆级封装方法包括:提供器件晶圆,所述器件晶圆包括多个第一芯片,所述第一芯片包括第一电极,且所述第一电极由所述器件晶圆露出,所述器件晶圆露出所述第一电极的面为晶圆正面;提供多个第二芯片,所述第二芯片包括第二电极,且所述第二电极由所述第二芯片露出,所述第二芯片露出所述第二电极的面为芯片正面,与所述芯片正面相背的面为芯片背面;使所述第二芯片的芯片背面键合于所述第一芯片之间的晶圆正面;在所述第二芯片的侧壁上形成绝缘侧墙;形成保形覆盖所述芯片正面、绝缘侧墙和晶圆正面的导电层。本发明仅通过一层导电层实现了第一芯片和第二芯片之间的电性连接,工艺较为简单。
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