一种晶圆级封装方法及封装结构，方法包括：提供器件晶圆，包括具有多个第一芯片的晶圆正面以及与晶圆正面相背的晶圆背面；提供承载基板，在承载基板上临时键合多个第二芯片，第二芯片包括具有第一焊盘的芯片正面以及与芯片正面相背的芯片背面，且述芯片背面朝向承载基板；使晶圆正面和芯片正面相对设置，采用熔融键合工艺实现第二芯片和器件晶圆的键合；熔融键合工艺后，对第二芯片和承载基板进行解键合处理；解键合处理后，在晶圆正面形成覆盖第二芯片的第一封装层；在第一封装层内形成露出至少一个第二芯片的第一开口；形成背金层，覆盖第二芯片、第一开口底部和侧壁和第一封装层。本发明能够提高封装成品率和封装结构的使用性能。