本实用新型涉及集成电路领域，提供了一种集成电路存储器，包括衬底以及形成于所述衬底上且与多个所述第二源/漏区一一对应连接的多个存储节点接触，所述衬底具有多个隔离区以及由所述隔离区界定出的多个有源区，每个所述有源区具有至少一个第一源/漏区和至少一个第二源/漏区；每个所述存储节点接触包括在对应于所述第二源/漏区的所述衬底表面沿远离所述衬底表面的方向依次叠加的外延接触和导电材料层，所述多个存储节点接触之间相互隔离。所述外延接触在去除相邻存储节点接触之间的导电材料时，可以减少或避免衬底损伤。