一种晶圆级封装方法以及封装结构，晶圆级封装方法包括：提供器件晶圆，形成有多个第一芯片，第一芯片表面形成有第一电极，器件晶圆上形成有露出第一电极的第一介质层；提供多个第二芯片，表面形成有第二电极，第二芯片上形成有露出第二电极的第二介质层；将第二介质层与第一介质层相对设置并键合，在第一电极和第二电极之间形成空腔；在空腔中形成芯片互连结构；在第二芯片以及第二芯片露出的第二介质层、芯片互连结构和器件晶圆上保形覆盖绝缘层；在绝缘层上保形覆盖屏蔽层；在屏蔽层上形成封装层。本发明通过通孔互连结构，简化封装方法、减小封装结构体积，且由于绝缘层和屏蔽层通过保形覆盖的方式形成，因此减小了封装结构的体积和厚度。