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专利名称晶圆级封装方法以及封装结构
申请日2018-09-04
申请号/专利号CN201811027608.8
专利权人中芯集成电路(宁波)有限公司
申请人中芯集成电路(宁波)有限公司
发明人/设计人罗海龙;克里夫·德劳利
公告日2020-03-10
公告号CN110875203A
法律状态审中
专利类型发明
行业分类集成电路

摘要

本发明提供一种晶圆级封装方法以及封装结构,所述晶圆级封装方法包括:提供第一晶圆,第一晶圆中形成有多个第一芯片,第一芯片的表面具有第一电极,第一晶圆的表面形成有露出第一电极的第一介质层;提供多个第二芯片,第二芯片的表面具有第二电极,第二芯片上形成有露出第二电极的第二介质层;将第二介质层与第一介质层相对设置,使第二芯片键合于第一晶圆,且第二芯片与第一芯片的位置相对应,在第一电极和第二电极之间形成空腔;在空腔中形成使第一电极和第二电极电连接的芯片互连结构;形成覆盖第二芯片的封装层。本发明简化了封装工艺。
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