一种晶圆级封装方法及封装结构，方法包括：提供器件晶圆以及键合于器件晶圆上的多个第一芯片，器件晶圆上具有覆盖第一芯片的第一封装层，第一芯片包括形成有第一焊盘的芯片正面以及与芯片正面相背的芯片背面，芯片正面朝向器件晶圆；刻蚀第一封装层，形成露出至少一个第一芯片的第一开口，且第一开口露出的芯片背面适于加载信号；形成覆盖第一开口露出的第一芯片、第一开口底部和侧壁、以及第一封装层顶部的金属层结构；对芯片背面和金属层结构进行合金处理，使芯片背面的金属层结构作为背金层；形成覆盖背金层和金属层结构的第二封装层。本发明在芯片背面形成背金层，作为第一芯片的背面电极，从而根据实际工艺需求对芯片背面加载信号。