一种晶圆级封装方法及封装结构，方法包括：提供器件晶圆；提供承载基板，在承载基板上临时键合多个芯片，芯片具有朝向承载基板的键合面，多个芯片中待屏蔽的芯片为第一芯片，且第一芯片的数量为一个或多个；在承载基板上形成覆盖芯片的封装层；形成封装层后，去除承载基板；使键合面和器件晶圆相对设置，采用低温熔融键合工艺实现器件晶圆和芯片的键合；在封装层中形成围绕第一芯片的沟槽；在沟槽中和封装层表面形成导电材料；位于沟槽中的导电材料为导电侧壁；位于第一芯片上方封装层表面的导电材料为导电层，用于与导电侧壁构成屏蔽壳体。本发明能减小封装结构的体积和厚度，且芯片与器件晶圆之间的键合强度较高。