一种晶圆级封装方法及封装结构，封装方法包括：提供器件晶圆，包括多个第一芯片，第一芯片包括第一电极，且第一电极由器件晶圆露出，器件晶圆露出第一电极的面为晶圆正面；提供承载基板，在承载基板上临时键合多个第二芯片，包括第二电极，且第二电极由第二芯片露出，第二芯片露出第二电极的面为芯片正面，与芯片正面相背的面为芯片背面；使芯片背面和晶圆正面相对设置，采用熔融键合工艺使芯片背面键合于晶圆正面；对第二芯片和承载基板进行解键合处理；在第二芯片的侧壁上形成绝缘侧墙；形成保形覆盖芯片正面、绝缘侧墙和晶圆正面的导电层。本发明实现电性连接的工艺较为简单，且器件晶圆和第二芯片的键合强度较高，保证了电性连接效果。