本发明涉及集成电路领域，提供了一种晶体管及其形成方法和一种集成电路存储器。所提供的晶体管包括形成有栅极沟槽和源/漏区的衬底，栅极沟槽中填充有栅极介质层、第一栅极层和第二栅极层，其中沿栅极沟槽的底壁向衬底的表面延伸的方向，第一栅极层的功函数逐渐降低，与功函数均一的埋置栅极相比，本发明提供的晶体管在工作时，与源/漏区交叠处的电场强度较小，电荷由源/漏区注入沟道区的势垒降低，有助于加快晶体管的开启速度，降低GIDL电流。本发明提供的晶体管的形成方法工艺难度较低。本发明提供的集成电路存储器包括上述晶体管，所述集成电路存储器例如是DRAM阵列，通过降低GIDL电流，有利于提升DRAM阵列的可靠性。