本发明提供一种半导体结构及其形成方法，半导体结构的形成方法包括：提供基底，基底包括第一区域和第二区域，第一区域用于形成第一器件，第二区域用于形成第二器件，第二器件的功率高于第一器件的功率；刻蚀第一区域的基底，形成第一衬底和多个分立于第一衬底上的第一鳍部，相邻第一鳍部之间为第一凹槽；刻蚀第二区域的基底，形成第二衬底和多个分立于第二衬底上的第二鳍部，相邻第二鳍部之间为第二凹槽；第二凹槽的深度小于第一凹槽的深度。本发明实施例中，第二器件中的第二衬底相比于第一器件中的第一衬底更靠近外部空间，第二器件中第二凹槽的深宽比小于第一器件中第一凹槽的深宽比，因此，第二器件的散热性能好于第一器件的散热性能。