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专利名称接触结构上的自对准金属线及其形成方法
申请日2018-08-31
申请号/专利号CN201811009018.2
专利权人格芯公司
申请人格芯公司
发明人/设计人谢瑞龙;古拉密·波奇;L·埃克诺米科思;孙磊;宁国翔;张洵渊
公告日2019-03-05
公告号CN109427742A
法律状态审中
专利类型发明
行业分类集成电路

摘要

本发明涉及接触结构上的自对准金属线及其形成方法,提供形成自对准金属线于接触结构上的结构及方法。形成该自对准金属线及接触结构的该方法可包括:形成一初始接触结构于一衬底的上方;形成一图案化掩膜于该初始接触结构上,该掩膜包括一开口;使用该图案化掩膜以形成通过该初始接触结构的一开口;形成一介电层于该开口中;移除该图案化掩膜以暴露该初始接触结构的一剩余部分;以及形成该金属线于该初始接触结构的该剩余部分上。该接触结构可包括一垂直的截面几何形状,该垂直的截面几何形状包括该第一接触结构的一最底部表面宽于该第一接触结构的一最顶部表面的一梯形及一平行四边形中的一者。该金属线可完全接触该接触结构的一最顶部表面。
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