本申请涉及一种离子注入后晶圆温度检测装置，涉及半导体集成电路制造技术，包括腔体结构，所述腔体结构包括腔体侧壁、腔体底部及腔体顶部组成的腔体壁；承载结构，位于所述腔体底部上用于承载晶圆；加热装置，位于所述腔体壁上，用于对所述晶圆进行加热；以及，红外辐射温度检测仪，位于所述腔体壁上，用于检测所述晶圆的温度，以精确检测晶圆温度，进而提高产品的良率。