本发明涉及高控制力薄膜晶体管技术、柔性器件，本发明旨在提出薄膜晶体管及其制造技术方案，所述晶体管有较好的性能以及较高的工作频率和较强的栅极控制力，在柔性集成电路的制作、智能穿戴以及光电器件领域具有广泛的应用前景。为此，本发明,锗纳米膜柔性金属型顶底双栅薄膜晶体管及其制作方法，PET衬底上镀有铬金薄膜和二氧化铪栅介质膜；在上方是锗纳米膜，锗纳米膜内有两处相互间隔的掺杂区，两处掺杂区中间位置的上部为二氧化铪栅极介质层；二氧化铪栅极介质层上方是顶栅电极；两处相互间隔的掺杂区上方分别形成有源、漏栅金属电极层。本发明主要应用于柔性器件设计制造场合。