一种半导体结构及其形成方法，形成方法包括：提供基底，基底包括衬底以及位于衬底上多个分立的鳍部，衬底上形成有第一栅极结构和第二栅极结构，第一栅极结构横跨鳍部的栅极结构且覆盖鳍部的部分顶部和部分侧壁，第二栅极结构位于鳍部延伸方向的相邻鳍部之间的衬底上，第一栅极结构和第二栅极结构露出的衬底上形成有第一介质层，第一介质层覆盖第一栅极结构和第二栅极结构的侧壁；去除第二栅极结构，在第一介质层内形成第一开口；在第一开口内填充介电材料，第一开口内的介电材料用于作为隔离结构。本发明实施例通过使隔离结构的材料为介电材料，使隔离结构具有绝缘性，有利于避免源漏掺杂层和隔离结构发生短接的问题。