一种半导体结构及其形成方法，形成方法包括：提供基底，所述基底包括衬底、凸出于所述衬底的鳍部、横跨所述鳍部的栅极结构以及位于所述栅极结构两侧鳍部内的源漏外延层；在所述栅极结构露出的衬底上形成保护层，所述保护层至少覆盖所述源漏外延层的部分侧壁，且露出所述源漏外延层的顶部；对所述保护层露出的源漏外延层进行离子掺杂处理。本发明实施例中所述保护层能够在对所述源漏外延层进行离子掺杂处理的步骤中，对所述源漏外延层的侧壁起到保护作用，从而有利于减小所述源漏外延层的晶格损伤，相应有利于改善所述源漏外延层的应力释放问题，进而提高载流子的迁移率，以进一步地提高半导体结构的电学性能。