本发明提供一种半导体结构及其制备方法，半导体结构的制备方法包括如下步骤：1）提供一基底；2）于基底的表面形成具有预设深度的凹槽；3）于凹槽内形成介质层，介质层填满凹槽，且介质层裸露的表面与基底形成有所述凹槽的表面相平齐。本发明通过先在基底的表面形成凹槽，然后再在凹槽内形成介质层，位于凹槽内的介质层可以间接提供一定的介质层厚度，在需要在基底表面制作无源器件时，可以直接将无源器件制作在凹槽的上方，从而可以减少介质层的涂覆工艺次数，尽可能避免介质层开裂、剥落等问题；同时，本发明的半导体结构的制备方法不会占用基底正面的面积，不会影响正面功率器件的性能，与集成电路后道封装工艺相兼容。