一种半导体器件及其形成方法，包括：提供基底；在基底上形成第一栅极结构和源漏掺杂层，源漏掺杂层位于第一栅极结构两侧；在基底表面形成覆盖源漏掺杂层的介质层；在介质层内形成暴露出源漏掺杂层的第一沟槽，第一沟槽包括第二区和位于第二区上的第一区，第一区顶部尺寸大于第一区底部尺寸，第二区最大尺寸小于等于第一区底部尺寸，第一区侧壁倾斜，第一区侧壁与基底表面之间的夹角为第一角度，第一角度为钝角；在第一沟槽第二区内形成第一导电结构；之后，在第一沟槽第一区内形成绝缘层，绝缘层材料和介质层材料不同；以绝缘层为掩膜，在介质层内形成暴露出第一栅极结构的凹槽；在凹槽内形成第二导电结构。所述方法提高了半导体器件的性能。