一种半导体器件及其形成方法，方法包括：提供基底；在所述基底上形成介质层，介质层内具有贯穿介质层的栅开口；在介质层上和栅开口内形成初始阻挡层，所述初始阻挡层覆盖栅开口底部表面和侧壁表面；形成初始阻挡层后，在栅开口内形成填充满栅开口的第一栅极层，所述第一栅极层表面与初始阻挡层齐平；回刻蚀所述第一栅极层以形成栅极层，所述栅极层顶部表面低于介质层表面；回刻蚀所述初始阻挡层以形成阻挡层，所述阻挡层顶部表面低于或齐平于栅极层顶部表面，且在介质层内形成第一开口；在所述第一开口内形成保护层，所述保护层填充满所述第一开口。所述方法提高了半导体器件的性能。