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专利名称集成电路及其制造方法
申请日2018-08-29
申请号/专利号CN201811001159.X
专利权人台湾积体电路制造股份有限公司
申请人台湾积体电路制造股份有限公司
发明人/设计人彭士玮;陈志良;杨超源;庄惠中;曾健庭;陈顺利;林威呈
公告日2019-03-05
公告号CN109427768A
法律状态审中
专利类型发明
行业分类集成电路

摘要

一种形成集成电路的方法包括:通过处理器基于设计规则组生成集成电路的布局设计并且基于该布局设计制造集成电路。该集成电路具有第一栅极。生成布局设计包括生成栅极布局图案组,生成切割部件布局图案并生成第一通孔布局图案。切割部件布局图案在第一方向上延伸、位于第一布局层级上并且与至少第一栅极布局图案重叠。栅极布局图案组在第二方向上延伸并位于第一布局层级上。第一通孔布局图案位于第一栅极布局图案上方、并且在第二方向上通过第一距离与切割部件布局图案分离。第一距离满足第一设计规则。本发明还提供了集成电路。
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