一种半导体器件及其形成方法，方法包括：提供衬底；在衬底上形成第一栅极结构和源漏掺杂层，源漏掺杂层位于第一栅极结构两侧；在衬底上形成介质层，介质层覆盖第一栅极结构和源漏掺杂层；在介质层内形成暴露出第一栅极结构的第一沟槽，第一沟槽包括底部区和位于底部区上的顶部区，在沿平行于衬底表面方向上，顶部区尺寸大于底部区尺寸，所述顶部区侧壁相对于所述底部区侧壁凹陷；在第一沟槽底部区内形成第一导电结构；形成第一导电结构后，在第一沟槽顶部区内形成绝缘层，绝缘层材料和介质层材料不同；以绝缘层为掩膜，在绝缘层两侧的介质层内形成暴露出源漏掺杂层的凹槽；在凹槽内形成第二导电结构。所述方法提高了半导体器件的性能。