本发明涉及一种改善晶圆光刻胶显影后残留缺陷的方法，涉及半导体集成电路生产工艺，所述改善晶圆光刻胶显影后残留缺陷的方法包括：首先进行光刻显影工艺；然后进行轻微刻蚀工艺，以改善光刻显影工艺后形成的光刻胶残留缺陷，且调整以使所述光刻显影工艺的光刻关键尺寸为晶圆目标关键尺寸与所述轻微刻蚀工艺引起的晶圆关键尺寸的减小量之和，以在改善光刻胶显影残留缺陷的基础上，不影响晶圆的关键尺寸(CD)。