本申请涉及用于封装上封装式多封装集成电路的装置和技术。集成电路的部件可以位于形成于多封装集成电路的电路封装中的孔隙中。所述孔隙可以是通过制作具有对应于所述部件的内部孔隙的孔隙结构而形成的。所述孔隙结构可以被接合至所述多封装集成电路中的第一封装的第一衬底。所述第一衬底和所述孔隙结构可以被包封在模制化合物中。可以去除牺牲层，从而暴露所述孔隙结构中的孔隙。所述部件可以是例如穿通模具通孔。所述第一封装可以被耦合至第二封装。根据文中的公开内容制作的多封装集成电路组件可以包括更高密度的电子部件，包括无源电子部件。