一种半导体器件及其形成方法，方法包括：提供衬底，所述衬底内具有第一阱区，所述第一阱区内掺杂有第一离子，所述第一阱区上具有第一鳍部；所述衬底上具有隔离结构，所述隔离结构覆盖第一鳍部的部分侧壁，且隔离结构的顶部表面低于第一鳍部的顶部表面；形成横跨所述第一鳍部的多个分立的第一伪栅极结构，所述第一伪栅极结构位于第一鳍部的部分顶部表面和部分侧壁表面，所述第一伪栅极结构包括第一伪栅极层；在相邻所述第一伪栅极结构之间的第一鳍部内形成第一外延层；去除所述第一伪栅极层，在所述介质层内形成第一伪栅开口；在所述第一伪栅开口内形成绝缘层，且所述绝缘层的表面与介质层的表面齐平。所述方法形成的半导体器件的性能较好。