本发明提供了多晶圆堆叠结构及其形成方法，第一介质层与第二介质层相互键合，第一互连层通过第一开孔与第二金属层和第一金属层电连接；第三介质层与绝缘层相互键合，第二互连层通过第二开孔与第三金属层和第一互连层电连接。不需晶圆间预留压焊引线空间，省去硅基板，实现多晶圆互连的同时，减少了多晶圆堆叠厚度，从而使多晶圆堆叠封装后的整体器件厚度减小，增加封装密度，满足半导体产品日益走向轻薄的要求。并且，半导体器件不再需要引线，省去了硅基板以及硅基板上若干共用焊盘的设计加工，有利于降低了成本，简化了工艺。