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专利名称多晶圆键合结构及键合方法
申请日2018-08-28
申请号/专利号CN201810988451.9
专利权人武汉新芯集成电路制造有限公司
申请人武汉新芯集成电路制造有限公司
发明人/设计人叶国梁
公告日2019-01-11
公告号CN109192718A
法律状态审中
专利类型发明
行业分类集成电路

摘要

本发明提供一种多晶圆键合结构及键合方法。所述多晶圆键合结构包括第一单元和第二单元,第一单元中的各晶圆的金属层与第一单元互连层电连接,第一单元中的第一键合层与所述第一单元互连层电连接,第二单元中的第二键合层与第二单元的金属层电连接,且第一键合层与第二键合层相接触以实现电连接,由此实现第一单元互连层、第一键合层、第二键合层以及各晶圆的金属层的电连接,无需采用外部引线结构,多晶圆键合结构的互连结构均设置于晶圆内部,相比于现有技术来说,互连距离短,信号传输速率快,功耗低,有利于实现高密度多晶圆集成以及多功能晶圆集成。
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