本发明提供了半导体器件制作方法，第一开孔和第二开孔是纵向分离的，通过互连层使的第一金属层和第二金属层电连接，不再受TSV嵌套孔横向制程的限制约束，提高了晶圆设计的灵活性。本发明中采用图形化的第一光阻层填充第一开孔(该第一开孔为浅孔)，解决了TSV嵌套孔结构中填充层在深孔中填充和去除困难的问题。图形化的第一光阻层即可用作填充层，还可以用作掩膜，省去了形成填充层和回刻蚀填充层两个工艺步骤，可简化工艺，缩短生产周期，有利于降低生产成本。本发明第三介质层即可用于隔离所述互连层与所述第一衬底，还可以在其中形成第三开孔，从而可通过第三开孔实现第一金属层和所述第二金属层互连。