本发明提供了半导体器件制作方法及半导体器件。第一开孔贯穿钝化层、第一衬底和部分所述第一介质层且位于所述第一金属层上方；第二开孔贯穿第一晶圆和部分所述第二介质层且位于所述第二金属层上方；第一开孔和第二开孔是纵向分离的，不再受纵向连通的TSV嵌套孔为形成后面的中开孔和下开孔均需在较深的上开孔中填充较厚的光阻的约束，满足了不同厚度要求的器件，同时不再受TSV嵌套孔横向制程的限制约束，提高了晶圆设计的灵活性。光刻过程中光阻均不需填充深孔，光阻不需要较厚，从而减小光刻制程工艺复杂度，改善了曝光效果。将第一金属层和第二金属层通过第一凹槽就直接引出，简化了工艺，降低了生产成本。