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专利名称多晶圆堆叠结构及其形成方法
申请日2018-08-28
申请号/专利号CN201810990635.9
专利权人武汉新芯集成电路制造有限公司
申请人武汉新芯集成电路制造有限公司
发明人/设计人赵长林;曾甜
公告日2019-01-04
公告号CN109148415A
法律状态审中
专利类型发明
行业分类集成电路

摘要

本发明提供一种多晶圆堆叠结构及方法。在该多晶圆堆叠结构中,第一互连层通过第一开孔与第二金属层和第一金属层电连接,第二互连层通过第二开孔与第一互连层电连接,第三互连层通过第三开孔与第三金属层电连接,且第二互连层与所述第三互连层相接触,不需晶圆间预留压焊引线空间,省去硅基板,实现多晶圆互连的同时减少多晶圆堆叠厚度从而使多晶圆堆叠封装后的整体器件厚度减小。并且,不再需要引线,省去了硅基板以及硅基板上若干共用焊盘的设计加工。以及,所述第二互连层与所述第三互连层相接触缩短晶圆间互连距离,进而降低寄生电容和功率损耗,提高了传输速度。
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