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专利名称集成电路结构及其形成方法
申请日2018-08-27
申请号/专利号CN201810981272.2
专利权人台湾积体电路制造股份有限公司
申请人台湾积体电路制造股份有限公司
发明人/设计人张盟昇;彭绍栋;周绍禹;张良川;杨耀仁
公告日2019-09-24
公告号CN110277390A
法律状态审中
专利类型发明
行业分类集成电路

摘要

本发明的实施例提供了集成电路结构及其形成方法。集成电路结构包括:形成在第一金属层中的第一熔丝线;形成在第一金属层中的第二熔丝线;形成在第一金属层中且位于第一熔丝线的第一端的相对两侧上的第一对熔丝翼;形成在第一金属层中且位于第二熔丝线的第一端的相对两侧上的第二对熔丝翼;形成在第一金属层中且位于第一熔丝线的第二端的相对两侧上的第三对熔丝翼;以及形成在第一金属层中且位于第二熔丝线的第二端的相对两侧上的第四对熔丝翼。第一对熔丝翼和第二对熔丝翼共用第一共用熔丝翼并且第三对熔丝翼和第四对熔丝翼共用第二共用熔丝翼。
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