本发明提供一种半导体结构制造方法，涉及半导体技术领域。该方法提供一种半导体堆叠结构，所述半导体堆叠结构包括基底以及依次堆叠在所述基底上的过渡层、金属层和捕获层，在所述半导体堆叠结构在进行热处理并形成半导体结构时，过渡层能够在形成半导体结构的过程中提供硅补偿，避免出现金属层与基底反应速度过快以及形成的半导体结构空洞、表面不平整以及粗糙度较大等问题，降低了半导体结构的表面电阻，提高了制程工艺的稳定性以及良品率。