本公开提供了一种半导体器件的形成方法。本公开实施例对形成连接源区、漏区和栅极结构与互连结构的导电结构的方法进行改进，使连接到源区和漏区的第一导电结构和第二导电结构与连接到栅极结构的第三导电结构在不同的步骤中形成，避免现有工艺过程中栅极结构与导电结构间形成缺陷而导致接触电阻异常，进而导致半导体器件失效的问题，同时，还能够避免连接栅极结构、连接源区和连接漏区的导电结构之间的距离过近而形成短路，提高半导体器件的良率。