一种半导体结构及其形成方法，形成方法包括：形成衬底，衬底包括隔离区，隔离区的衬底上形成有伪鳍部；在伪鳍部露出的衬底上形成第一隔离层，第一隔离层至少覆盖伪鳍部的部分侧壁；形成第一隔离层后，对隔离区的衬底进行离子掺杂处理，在隔离区的衬底内形成阱区；在隔离区的衬底内形成阱区后，刻蚀伪鳍部。本发明实施例通过伪鳍部，有利于提高隔离区的图形密度，有利于避免第一隔离层的顶部发生凹陷问题的概率，使第一隔离层的厚度均一性较好，相应有利于提高后续对隔离区的衬底进行离子掺杂处理的均一性，使形成的阱区深度均一性较好，有利于降低半导体结构的电学性能发生差异问题的概率，提升了半导体结构的电学性能。