本申请实施例公开了一种掩模参数的优化方法及装置中，通过获取测试图形、初始光源参数和初始掩模三维参数，其中初始掩模三维参数包括初始掩模厚度和初始掩模侧壁角，根据初始掩模三维参数，可以获取多组可行掩模三维参数，其中可行掩模三维参数包括可行掩模厚度和可行掩模侧壁角，基于测试图形和初始光源参数，得到每组可行掩模三维参数对应的可行光刻工艺窗口，将可行光刻工艺窗口作为衡量参考，其中，可行光刻工艺窗口最大值对应的可行掩模三维参数即可认为是本次优化的最优掩模三维参数。本申请实施例中，对初始掩模三维参数以及初始光源参数进行了优化，可以获得更高的光刻分辨率，因此得到更大的光刻工艺窗口和更好的曝光分辨率。