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专利名称一种低缺陷高透光率金刚石生长方法和系统
申请日2019-12-02
申请号/专利号CN201911213909.4
专利权人长沙新材料产业研究院有限公司
申请人长沙新材料产业研究院有限公司
发明人/设计人彭国令;黄翀
公告日2020-02-25
公告号CN110835746A
法律状态审中
专利类型发明
行业分类新材料

摘要

本发明涉及一种低缺陷高透光率金刚石生长方法和系统。一种低缺陷高透光率金刚石生长方法,包括步骤:阶段通入氧气:对籽晶表面进行预处理后放入生长仓中,通入一定功率的微波后通入氢气和氧气对籽晶进行表面刻蚀15‑60min;然后,停止通入氧气,通入一定量的氩气后通入碳源生成碳离子团后稳定生长金刚石;每隔第一时间,停止通入碳源,通入氧气刻蚀10‑30min;基板台升降:在所述稳定生长的同时,实时检测金刚石生长的厚度数据,根据所述厚度数据,控制基板台的高度,进而使金刚石的生长面始终处于最佳生长位。本发明提供的一种低缺陷高透光率金刚石生长方法和系统,生长的金刚石具有层状结构,且氧元素含量随着金刚石厚度的增加,含量呈周期性规律分布。
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